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  • 描述:
    低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia
    4401
    5-24
    1.5390
    25-49
    1.4250
    50-99
    1.3452
    100-499
    1.3110
    500-2499
    1.2882
    2500-4999
    1.2597
    5000-9999
    1.2483
    ≥10000
    1.2312
  • 描述:
    低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia
    8692
    5-24
    1.6200
    25-49
    1.5000
    50-99
    1.4160
    100-499
    1.3800
    500-2499
    1.3560
    2500-4999
    1.3260
    5000-9999
    1.3140
    ≥10000
    1.2960
  • 描述:
    低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia
    5845
    10-49
    1.3230
    50-99
    1.2544
    100-299
    1.2054
    300-499
    1.1760
    500-999
    1.1466
    1000-2499
    1.1172
    2500-4999
    1.0731
    ≥5000
    1.0633
  • 描述:
    低饱和电压双 NPN/PNP 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压双 NPN/PNP 双极结点晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia
    5210
    5-24
    2.9970
    25-49
    2.7750
    50-99
    2.6196
    100-499
    2.5530
    500-2499
    2.5086
    2500-4999
    2.4531
    5000-9999
    2.4309
    ≥10000
    2.3976
  • 描述:
    低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia
    4373
    10-49
    0.9315
    50-99
    0.8832
    100-299
    0.8487
    300-499
    0.8280
    500-999
    0.8073
    1000-2499
    0.7866
    2500-4999
    0.7556
    ≥5000
    0.7487

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